АО «Росэлектроника» выступило с поддержкой проекта «Разработка технологии изготовления сверхмощных светодиодов"

АО «Росэлектроника» выступило с поддержкой проекта «Разработка технологии изготовления сверхмощных светодиодных AlInGaN кристаллов вертикальной конструкции» в рамках деятельности технологической платформы «Развитие российских светодиодных технологий». Выполнение работ по проекту позволит создать российскую технологию производства наиболее эффективных полупроводниковых светодиодных чипов. Заявителем на конкурс Минобрнауки РФ по данному проекту выступает Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (номер заявки 2016-14-579-0009-7642).
Кроме того,  «Росэлектроника»  поддержала проект «Разработка технологии изготовления многофункциональных покрытий на основе наноструктурированных пленок прозрачных проводящих оксидов» в рамках деятельности технологической платформы «Развитие российских светодиодных технологий». Реализация проекта обеспечит существенный вклад в разработку технологию изготовления покрытий, предназначенных для создания различных приборов фотоники и оптоэлеткроники. Заявителем на конкурс Минобрнауки РФ по данному проекту выступает ЗАО «ЭПИ-ЦЕНТР» (номер заявки 2016-14-579-0009-7739).